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    FCP110N65F

    MOSFET SuperFET2 650V, 110mohm

    制造商:
    ON Semiconductor / Fairchild
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 FCP110N65F 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 SuperFET II FRFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 357 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V, 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 35 A
    Rds On-漏源导通电阻 110 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 5 V
    Qg-栅极电荷 98 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:58,849

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥23.9212
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥23.9212 ¥23.9212
    10+ ¥20.3251 ¥203.2510
    100+ ¥16.2354 ¥1,623.5400
    250+ ¥15.3011 ¥3,825.2750
    500+ ¥14.4373 ¥7,218.6500
    1,000+ ¥12.6393 ¥12,639.3000
    2,500+ ¥12.1457 ¥30,364.2500
    5,000+ ¥11.5904 ¥57,952.0000

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