文档与媒体
| 数据手册 | IXTP32N65X 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 32 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 135 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 54 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,161
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥36.6222
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥36.6222 | ￥36.6222 |
| 10+ | ￥32.7176 | ￥327.1760 |
| 25+ | ￥29.4916 | ￥737.2900 |
| 50+ | ￥25.6487 | ￥1,282.4350 |
| 250+ | ￥22.9252 | ￥5,731.3000 |
| 500+ | ￥21.7530 | ￥10,876.5000 |
| 1,000+ | ￥18.3419 | ￥18,341.9000 |
| 2,500+ | ￥15.6801 | ￥39,200.2500 |
申请更低价? 请联系客服
