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| 数据手册 | TK62N60W5,S1VF 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | DTMOSIV |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 400 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 61.8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 36 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 205 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,876
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥85.2578
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥85.2578 | ￥85.2578 |
| 10+ | ￥76.7699 | ￥767.6990 |
| 25+ | ￥69.9567 | ￥1,748.9175 |
| 50+ | ￥68.2204 | ￥3,411.0200 |
| 100+ | ￥63.0818 | ￥6,308.1800 |
| 250+ | ￥57.9961 | ￥14,499.0250 |
| 500+ | ￥52.8576 | ￥26,428.8000 |
| 1,000+ | ￥42.3160 | ￥42,316.0000 |
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