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| 数据手册 | IXTT10N100D 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 400 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.4 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 130 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,976
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥97.9588
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥97.9588 | ￥97.9588 |
| 10+ | ￥89.0390 | ￥890.3900 |
| 25+ | ￥82.3492 | ￥2,058.7300 |
| 50+ | ￥75.7828 | ￥3,789.1400 |
| 100+ | ￥73.9230 | ￥7,392.3000 |
| 250+ | ￥67.7268 | ￥16,931.7000 |
| 500+ | ￥61.4688 | ￥30,734.4000 |
| 1,000+ | ￥56.1364 | ￥56,136.4000 |
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