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数据手册 | IXFK420N10T 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-264-3 |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
Pd-功率耗散 | 1.67 kW |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Id-连续漏极电流 | 420 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 2.6 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
Qg-栅极电荷 | 670 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:54,337
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥99.6335
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥99.6335 | ¥99.6335 |
10+ | ¥90.8988 | ¥908.9880 |
25+ | ¥84.0239 | ¥2,100.5975 |
50+ | ¥77.3252 | ¥3,866.2600 |
100+ | ¥75.4743 | ¥7,547.4300 |
250+ | ¥63.2052 | ¥15,801.3000 |
500+ | ¥57.3174 | ¥28,658.7000 |
1,000+ | ¥52.5403 | ¥52,540.3000 |
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