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| 数据手册 | IXTR32P60P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | PolarP |
| Pd-功率耗散 | 310 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 385 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 196 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,362
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥121.1396
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥121.1396 | ￥121.1396 |
| 10+ | ￥110.1045 | ￥1,101.0450 |
| 25+ | ￥88.6071 | ￥2,215.1775 |
| 250+ | ￥83.7771 | ￥20,944.2750 |
| 500+ | ￥76.0296 | ￥38,014.8000 |
| 1,000+ | ￥69.4014 | ￥69,401.4000 |
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