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    IXTX600N04T2

    MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

    制造商:
    IXYS
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IXTX600N04T2 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 PLUS-247
    技术 SI
    商标名 HiPerFET
    Pd-功率耗散 1250 W

    库存:57,239

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥123.8014
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥123.8014 ¥123.8014
    10+ ¥112.5195 ¥1,125.1950
    25+ ¥90.5286 ¥2,263.2150
    250+ ¥85.6280 ¥21,407.0000
    500+ ¥77.7042 ¥38,852.1000
    1,000+ ¥70.9439 ¥70,943.9000

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