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| 数据手册 | IXFA110N15T2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 480 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Id-连续漏极电流 | 110 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 150 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,789
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥32.8410
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥32.8410 | ￥32.8410 |
| 10+ | ￥29.3682 | ￥293.6820 |
| 25+ | ￥27.1383 | ￥678.4575 |
| 50+ | ￥23.6039 | ￥1,180.1950 |
| 250+ | ￥19.7081 | ￥4,927.0250 |
| 500+ | ￥18.7738 | ￥9,386.9000 |
| 1,000+ | ￥16.4205 | ￥16,420.5000 |
| 2,500+ | ￥14.0054 | ￥35,013.5000 |
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