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| 数据手册 | IRFD9110PBF 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | HVMDIP-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 700 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 8.7 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,056
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.5176
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.5176 | ￥5.5176 |
| 10+ | ￥4.3277 | ￥43.2770 |
| 100+ | ￥3.5609 | ￥356.0900 |
| 500+ | ￥2.8646 | ￥1,432.3000 |
| 1,000+ | ￥2.2916 | ￥2,291.6000 |
| 2,500+ | ￥2.0360 | ￥5,090.0000 |
| 5,000+ | ￥1.9479 | ￥9,739.5000 |
| 10,000+ | ￥1.8598 | ￥18,598.0000 |
| 25,000+ | ￥1.7628 | ￥44,070.0000 |
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