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    IXFK220N17T2

    MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET

    制造商:
    IXYS
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IXFK220N17T2 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-264-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 HiPerFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 1.25 kW
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 170 V
    Id-连续漏极电流 220 A
    Rds On-漏源导通电阻 6.3 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 5 V
    Qg-栅极电荷 500 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:56,663

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥78.6914
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥78.6914 ¥78.6914
    10+ ¥70.8205 ¥708.2050
    25+ ¥58.9304 ¥1,473.2600
    50+ ¥54.7790 ¥2,738.9500
    100+ ¥53.5362 ¥5,353.6200
    250+ ¥46.5379 ¥11,634.4750
    500+ ¥43.9290 ¥21,964.5000
    1,000+ ¥42.3865 ¥42,386.5000

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