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| 数据手册 | IXTH1N170DHV 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247HV-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 290 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.7 kV |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 16 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 47 nC |
| 通道模式 | Depletion |
库存：54,427
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥79.6257
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥79.6257 | ￥79.6257 |
| 10+ | ￥72.3718 | ￥723.7180 |
| 25+ | ￥58.1812 | ￥1,454.5300 |
| 250+ | ￥55.0875 | ￥13,771.8750 |
| 500+ | ￥50.0018 | ￥25,000.9000 |
| 1,000+ | ￥45.6653 | ￥45,665.3000 |
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