IRLD024PBF
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET HEXDI
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | IRLD024PBF 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | HVMDIP-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 5 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 1.8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
| Qg-栅极电荷 | 18 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,133
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.2579
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.2579 | ￥6.2579 |
| 10+ | ￥5.2531 | ￥52.5310 |
| 100+ | ￥4.4863 | ￥448.6300 |
| 500+ | ￥3.7460 | ￥1,873.0000 |
| 1,000+ | ￥3.2436 | ￥3,243.6000 |
| 2,500+ | ￥2.7059 | ￥6,764.7500 |
| 5,000+ | ￥2.5737 | ￥12,868.5000 |
| 10,000+ | ￥2.4679 | ￥24,679.0000 |
| 25,000+ | ￥2.3622 | ￥59,055.0000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
