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| 数据手册 | IXTH500N04T2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| Pd-功率耗散 | 1 kW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 500 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.6 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 405 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,886
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥82.4109
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥82.4109 | ￥82.4109 |
| 10+ | ￥74.1698 | ￥741.6980 |
| 25+ | ￥61.7156 | ￥1,542.8900 |
| 50+ | ￥54.5234 | ￥2,726.1700 |
| 100+ | ￥53.5362 | ￥5,353.6200 |
| 250+ | ￥49.5082 | ￥12,377.0500 |
| 500+ | ￥46.0355 | ￥23,017.7500 |
| 1,000+ | ￥44.3609 | ￥44,360.9000 |
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