NTGD1100LT1G
MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift
- 制造商：
- ON Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | NTGD1100LT1G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TSOP-6 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 830 mW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 4.5 V |
| 晶体管极性 | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 8 V |
| Id-连续漏极电流 | 3.3 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 600 mV |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,925
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3.8429
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.8429 | ￥3.8429 |
| 10+ | ￥3.0761 | ￥30.7610 |
| 100+ | ￥2.1682 | ￥216.8200 |
| 500+ | ￥1.7804 | ￥890.2000 |
| 1,000+ | ￥1.4455 | ￥1,445.5000 |
| 3,000+ | ￥1.2516 | ￥3,754.8000 |
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