IRLD120PBF
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | IRLD120PBF 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | HVMDIP-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 5 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 1.3 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
| Qg-栅极电荷 | 12 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,809
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥4.9535
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.9535 | ￥4.9535 |
| 10+ | ￥4.0809 | ￥40.8090 |
| 100+ | ￥3.3229 | ￥332.2900 |
| 500+ | ￥2.6266 | ￥1,313.3000 |
| 2,500+ | ￥1.8686 | ￥4,671.5000 |
| 5,000+ | ￥1.7452 | ￥8,726.0000 |
| 10,000+ | ￥1.6130 | ￥16,130.0000 |
| 25,000+ | ￥1.5513 | ￥38,782.5000 |
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