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数据手册 | FQA9P25 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-3PN-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | QFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 150 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
Id-连续漏极电流 | 10.5 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 620 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:53,119
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥11.8372
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥11.8372 | ¥11.8372 |
10+ | ¥10.0391 | ¥100.3910 |
100+ | ¥7.8092 | ¥780.9200 |
250+ | ¥7.5624 | ¥1,890.6000 |
500+ | ¥6.6281 | ¥3,314.0500 |
1,000+ | ¥5.6233 | ¥5,623.3000 |
2,500+ | ¥5.4559 | ¥13,639.7500 |
5,000+ | ¥5.1386 | ¥25,693.0000 |
10,000+ | ¥5.0240 | ¥50,240.0000 |
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