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| 数据手册 | FDA38N30 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | UniFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 312 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Id-连续漏极电流 | 38 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 70 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 60 nC |
库存：55,802
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥16.4822
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥16.4822 | ￥16.4822 |
| 10+ | ￥14.0054 | ￥140.0540 |
| 100+ | ￥11.2114 | ￥1,121.1400 |
| 250+ | ￥10.5944 | ￥2,648.6000 |
| 500+ | ￥9.9774 | ￥4,988.7000 |
| 1,000+ | ￥8.8581 | ￥8,858.1000 |
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