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| 数据手册 | FQP13N10L 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | QFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 65 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 12.8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,304
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.8132
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.8132 | ￥6.8132 |
| 10+ | ￥5.7908 | ￥57.9080 |
| 100+ | ￥4.3453 | ￥434.5300 |
| 250+ | ￥4.2131 | ￥1,053.2750 |
| 500+ | ￥3.6843 | ￥1,842.1500 |
| 1,000+ | ￥2.9968 | ￥2,996.8000 |
| 2,000+ | ￥2.9527 | ￥5,905.4000 |
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