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| 数据手册 | FQP17P10 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | QFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 16.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存:54,140
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥8.1794
| 数量 | 单价(含税) | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ¥8.1794 | ¥8.1794 |
| 10+ | ¥6.9366 | ¥69.3660 |
| 100+ | ¥5.2267 | ¥522.6700 |
| 250+ | ¥5.0769 | ¥1,269.2250 |
| 500+ | ¥4.4334 | ¥2,216.7000 |
| 1,000+ | ¥3.6137 | ¥3,613.7000 |
| 2,000+ | ¥3.5609 | ¥7,121.8000 |
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