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数据手册 | FDA70N20 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-3PN-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 417 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Id-连续漏极电流 | 70 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:53,417
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥17.4077
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥17.4077 | ¥17.4077 |
10+ | ¥14.8075 | ¥148.0750 |
100+ | ¥11.8372 | ¥1,183.7200 |
250+ | ¥11.2114 | ¥2,802.8500 |
500+ | ¥10.5327 | ¥5,266.3500 |
1,000+ | ¥9.2283 | ¥9,228.3000 |
2,500+ | ¥8.8581 | ¥22,145.2500 |
5,000+ | ¥8.4879 | ¥42,439.5000 |
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