NTJD1155LT1G
MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift
- 制造商:
- ON Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | NTJD1155LT1G 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | SC-88-6 |
通道数量 | 2 Channel |
技术 | SI |
配置 | Dual |
Pd-功率耗散 | 400 mW |
Vgs - 栅极-源极电压 | 4.5 V |
晶体管极性 | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 8 V |
Id-连续漏极电流 | 1.3 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 175 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 400 mV |
通道模式 | Enhancement |
库存:57,838
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥2.4767
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥2.4767 | ¥2.4767 |
10+ | ¥1.8333 | ¥18.3330 |
100+ | ¥1.0665 | ¥106.6500 |
1,000+ | ¥0.7254 | ¥725.4000 |
3,000+ | ¥0.6381 | ¥1,914.3000 |
9,000+ | ¥0.6073 | ¥5,465.7000 |
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