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    DMN63D8LV-7

    MOSFET Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA

    制造商:
    Diodes Incorporated
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 DMN63D8LV-7 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 SOT-563-6
    通道数量 2 Channel
    技术 SI
    配置 Dual
    Pd-功率耗散 450 mW
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 260 mA
    Rds On-漏源导通电阻 2.8 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 800 mV
    Qg-栅极电荷 0.87 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:50,302

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥2.2916
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥2.2916 ¥2.2916
    10+ ¥1.5601 ¥15.6010
    100+ ¥0.6505 ¥65.0500
    1,000+ ¥0.4460 ¥446.0000
    3,000+ ¥0.3473 ¥1,041.9000
    9,000+ ¥0.2970 ¥2,673.0000
    24,000+ ¥0.2785 ¥6,684.0000
    45,000+ ¥0.2600 ¥11,700.0000

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