| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 175 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-220-3 |
| 技术 |
SI |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
125 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
20 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
30 V |
| Id-连续漏极电流 |
171 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
1.9 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
1.7 V |
| Qg-栅极电荷 |
40 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.1386
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥5.1386 |
￥5.1386 |
|
10+
|
￥4.3717 |
￥43.7170 |
|
100+
|
￥3.2524 |
￥325.2400 |
|
500+
|
￥2.7852 |
￥1,392.6000 |
|
1,000+
|
￥2.3005 |
￥2,300.5000 |
|
2,000+
|
￥2.2388 |
￥4,477.6000 |
|
10,000+
|
￥2.2299 |
￥22,299.0000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
