IRLD014PBF
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET HEXDI
- 制造商:
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | IRLD014PBF 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | HVMDIP-4 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 1.3 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 5 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
Qg-栅极电荷 | 8.4 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:52,516
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥5.9495
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥5.9495 | ¥5.9495 |
10+ | ¥4.7684 | ¥47.6840 |
100+ | ¥3.9046 | ¥390.4600 |
500+ | ¥3.2612 | ¥1,630.6000 |
1,000+ | ¥2.7059 | ¥2,705.9000 |
2,500+ | ¥2.4327 | ¥6,081.7500 |
5,000+ | ¥2.3093 | ¥11,546.5000 |
10,000+ | ¥2.2211 | ¥22,211.0000 |
25,000+ | ¥2.1594 | ¥53,985.0000 |
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