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| 数据手册 | IXTP50N25T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 400 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
库存：52,378
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥21.8147
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥21.8147 | ￥21.8147 |
| 10+ | ￥19.5759 | ￥195.7590 |
| 100+ | ￥17.7867 | ￥1,778.6700 |
| 250+ | ￥14.8075 | ￥3,701.8750 |
| 500+ | ￥13.1329 | ￥6,566.4500 |
| 1,000+ | ￥11.2731 | ￥11,273.1000 |
| 2,500+ | ￥11.0880 | ￥27,720.0000 |
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