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| 数据手册 | IXTQ22N50P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 350 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 50 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,266
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥28.1343
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥28.1343 | ￥28.1343 |
| 10+ | ￥24.5999 | ￥245.9990 |
| 25+ | ￥23.5422 | ￥588.5550 |
| 50+ | ￥23.0486 | ￥1,152.4300 |
| 100+ | ￥16.9141 | ￥1,691.4100 |
| 500+ | ￥15.0543 | ￥7,527.1500 |
| 1,000+ | ￥12.8861 | ￥12,886.1000 |
| 2,500+ | ￥12.7010 | ￥31,752.5000 |
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