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| 数据手册 | IXFN140N20P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 680 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 115 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 240 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,368
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥126.0931
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥126.0931 | ￥126.0931 |
| 10+ | ￥115.8688 | ￥1,158.6880 |
| 20+ | ￥111.0388 | ￥2,220.7760 |
| 100+ | ￥96.0462 | ￥9,604.6200 |
| 200+ | ￥93.0053 | ￥18,601.0600 |
| 500+ | ￥87.0559 | ￥43,527.9500 |
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