CSD85301Q2
MOSFET CSD85301Q2 Dual N- Channel Power MOSFET
- 制造商：
- Texas Instruments
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | CSD85301Q2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | WSON-FET-6 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | NexFET |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 2.3 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 600 mV |
| Qg-栅极电荷 | 5.4 nC, 5.4 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,767
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3.7812
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.7812 | ￥3.7812 |
| 10+ | ￥3.0144 | ￥30.1440 |
| 100+ | ￥2.1330 | ￥213.3000 |
| 500+ | ￥1.7540 | ￥877.0000 |
| 3,000+ | ￥1.3397 | ￥4,019.1000 |
| 6,000+ | ￥1.2075 | ￥7,245.0000 |
| 9,000+ | ￥1.1194 | ￥10,074.6000 |
| 24,000+ | ￥1.0929 | ￥26,229.6000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
