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| 数据手册 | IXTA06N120P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263AA-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 42 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Id-连续漏极电流 | 600 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 34 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 13.3 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,054
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥22.0614
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥22.0614 | ￥22.0614 |
| 10+ | ￥19.7698 | ￥197.6980 |
| 25+ | ￥17.3460 | ￥433.6500 |
| 50+ | ￥16.4822 | ￥824.1100 |
| 100+ | ￥14.9309 | ￥1,493.0900 |
| 250+ | ￥12.4542 | ￥3,113.5500 |
| 500+ | ￥11.0880 | ￥5,544.0000 |
| 1,000+ | ￥9.4839 | ￥9,483.9000 |
| 2,500+ | ￥9.3605 | ￥23,401.2500 |
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