CSD19531KCS
MOSFET 100V 6.4mOhm Pwr MOSFET
- 制造商：
- Texas Instruments
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | CSD19531KCS 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | NexFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 179 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 200 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 7.7 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.7 V |
| Qg-栅极电荷 | 38 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,212
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥12.5776
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥12.5776 | ￥12.5776 |
| 10+ | ￥10.6561 | ￥106.5610 |
| 100+ | ￥8.3028 | ￥830.2800 |
| 250+ | ￥8.1177 | ￥2,029.4250 |
| 500+ | ￥7.0600 | ￥3,530.0000 |
| 1,000+ | ￥5.9583 | ￥5,958.3000 |
| 2,500+ | ￥5.8701 | ￥14,675.2500 |
| 5,000+ | ￥5.4559 | ￥27,279.5000 |
| 10,000+ | ￥5.2355 | ￥52,355.0000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
