CSD87312Q3E
MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs
- 制造商：
- Texas Instruments
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | CSD87312Q3E 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | VSON-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | NexFET |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 8 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 27 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 33 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 800 mV |
| Qg-栅极电荷 | 6.3 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,642
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.3196
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.3196 | ￥6.3196 |
| 10+ | ￥5.3501 | ￥53.5010 |
| 100+ | ￥4.0104 | ￥401.0400 |
| 250+ | ￥3.9751 | ￥993.7750 |
| 1,000+ | ￥2.7676 | ￥2,767.6000 |
| 2,500+ | ￥2.7323 | ￥6,830.7500 |
| 5,000+ | ￥2.4855 | ￥12,427.5000 |
| 10,000+ | ￥2.3710 | ￥23,710.0000 |
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