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| 数据手册 | IRFB5620PBF 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 144 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 25 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 72.5 mOhms |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,242
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥11.8372
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥11.8372 | ￥11.8372 |
| 10+ | ￥10.0391 | ￥100.3910 |
| 100+ | ￥7.6241 | ￥762.4100 |
| 500+ | ￥6.6281 | ￥3,314.0500 |
| 1,000+ | ￥5.6321 | ￥5,632.1000 |
| 2,000+ | ￥5.1562 | ￥10,312.4000 |
| 10,000+ | ￥5.0328 | ￥50,328.0000 |
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