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| 数据手册 | FQN1N50CTA 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-92-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 890 mW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 380 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 4.6 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,128
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3.8429
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.8429 | ￥3.8429 |
| 10+ | ￥3.0585 | ￥30.5850 |
| 100+ | ￥2.1506 | ￥215.0600 |
| 500+ | ￥1.7716 | ￥885.8000 |
| 2,000+ | ￥1.2163 | ￥2,432.6000 |
| 10,000+ | ￥1.1546 | ￥11,546.0000 |
| 24,000+ | ￥1.1194 | ￥26,865.6000 |
| 50,000+ | ￥1.0929 | ￥54,645.0000 |
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