DMN65D8LFB-7
MOSFET 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
- 制造商：
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | DMN65D8LFB-7 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | X1-DFN1006-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 430 mW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 400 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,327
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1.9832
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1.9832 | ￥1.9832 |
| 10+ | ￥1.3133 | ￥13.1330 |
| 100+ | ￥0.5518 | ￥55.1800 |
| 1,000+ | ￥0.3720 | ￥372.0000 |
| 3,000+ | ￥0.2909 | ￥872.7000 |
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