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| 数据手册 | FQA13N80-F109 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | QFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 12.6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 750 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,854
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥24.7850
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥24.7850 | ￥24.7850 |
| 10+ | ￥21.0655 | ￥210.6550 |
| 100+ | ￥16.8524 | ￥1,685.2400 |
| 250+ | ￥15.9269 | ￥3,981.7250 |
| 500+ | ￥14.9926 | ￥7,496.3000 |
| 1,000+ | ￥13.0712 | ￥13,071.2000 |
| 2,500+ | ￥12.6393 | ￥31,598.2500 |
| 5,000+ | ￥12.0840 | ￥60,420.0000 |
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