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数据手册 | IRFD220PBF 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | HVMDIP-4 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 1 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Id-连续漏极电流 | 800 mA |
Rds On-漏源导通电阻 | 800 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
Qg-栅极电荷 | 14 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:51,015
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥6.0728
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥6.0728 | ¥6.0728 |
10+ | ¥5.2355 | ¥52.3550 |
100+ | ¥4.2219 | ¥422.1900 |
500+ | ¥3.6843 | ¥1,842.1500 |
1,000+ | ¥2.9615 | ¥2,961.5000 |
2,500+ | ¥2.6001 | ¥6,500.2500 |
5,000+ | ¥2.5296 | ¥12,648.0000 |
10,000+ | ¥2.3886 | ¥23,886.0000 |
25,000+ | ¥2.3093 | ¥57,732.5000 |
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