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    IRFD220PBF

    MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET HEXDI

    制造商:
    Vishay Semiconductors
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IRFD220PBF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 HVMDIP-4
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 1 W
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 200 V
    Id-连续漏极电流 800 mA
    Rds On-漏源导通电阻 800 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2 V
    Qg-栅极电荷 14 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:51,015

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥6.0728
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥6.0728 ¥6.0728
    10+ ¥5.2355 ¥52.3550
    100+ ¥4.2219 ¥422.1900
    500+ ¥3.6843 ¥1,842.1500
    1,000+ ¥2.9615 ¥2,961.5000
    2,500+ ¥2.6001 ¥6,500.2500
    5,000+ ¥2.5296 ¥12,648.0000
    10,000+ ¥2.3886 ¥23,886.0000
    25,000+ ¥2.3093 ¥57,732.5000

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