文档与媒体
| 数据手册 | IXTP26P20P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 26 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 170 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 56 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,357
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥31.2280
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥31.2280 | ￥31.2280 |
| 10+ | ￥28.0109 | ￥280.1090 |
| 100+ | ￥21.1889 | ￥2,118.8900 |
| 500+ | ￥18.8355 | ￥9,417.7500 |
| 1,000+ | ￥16.1120 | ￥16,112.0000 |
| 2,500+ | ￥15.8652 | ￥39,663.0000 |
申请更低价? 请联系客服
