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| 数据手册 | IXTT02N450HV 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268HV-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 113 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 4.5 kV |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 625 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 10.6 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,864
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥131.5490
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥131.5490 | ￥131.5490 |
| 5+ | ￥130.3679 | ￥651.8395 |
| 10+ | ￥121.3247 | ￥1,213.2470 |
| 25+ | ￥118.2839 | ￥2,957.0975 |
| 50+ | ￥115.4987 | ￥5,774.9350 |
| 100+ | ￥102.2424 | ￥10,224.2400 |
| 250+ | ￥100.3209 | ￥25,080.2250 |
| 500+ | ￥87.2410 | ￥43,620.5000 |
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