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数据手册 | IXFP22N65X2 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-220-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 390 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Id-连续漏极电流 | 22 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.7 V |
Qg-栅极电荷 | 38 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:53,785
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥22.3082
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥22.3082 | ¥22.3082 |
10+ | ¥20.0166 | ¥200.1660 |
50+ | ¥19.8315 | ¥991.5750 |
100+ | ¥18.1568 | ¥1,815.6800 |
250+ | ¥16.9141 | ¥4,228.5250 |
500+ | ¥16.0503 | ¥8,025.1500 |
1,000+ | ¥11.5287 | ¥11,528.7000 |
2,500+ | ¥11.3348 | ¥28,337.0000 |
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