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    SI3476DV-T1-GE3

    MOSFET 80V Vds 20V Vgs TSOP-6

    制造商:
    Vishay Semiconductors
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SI3476DV-T1-GE3 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TSOP-6
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 TrenchFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 3.6 W
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 80 V
    Id-连续漏极电流 4.6 A
    Rds On-漏源导通电阻 93 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.2 V
    Qg-栅极电荷 4.9 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:55,254

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥3.3493
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥3.3493 ¥3.3493
    10+ ¥2.6795 ¥26.7950
    100+ ¥1.9920 ¥199.2000
    500+ ¥1.6041 ¥802.0500
    3,000+ ¥1.1458 ¥3,437.4000
    6,000+ ¥1.0753 ¥6,451.8000
    9,000+ ¥1.0048 ¥9,043.2000
    24,000+ ¥0.9695 ¥23,268.0000

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