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    IRFHS8342TRPBF

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 4.2nC

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IRFHS8342TRPBF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 PQFN-6
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 2.1 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 19 A
    Rds On-漏源导通电阻 25 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.35 V
    Qg-栅极电荷 4.2 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:54,510

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥2.7852
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥2.7852 ¥2.7852
    10+ ¥2.2211 ¥22.2110
    100+ ¥1.2868 ¥128.6800
    1,000+ ¥1.0489 ¥1,048.9000
    4,000+ ¥0.9519 ¥3,807.6000
    8,000+ ¥0.8241 ¥6,592.8000
    24,000+ ¥0.8056 ¥19,334.4000
    48,000+ ¥0.7933 ¥38,078.4000

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