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    CSD19506KCS

    MOSFET 80V N-CH Power MOSFET

    制造商:
    Texas Instruments
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 CSD19506KCS 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-220-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 NexFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 375 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 80 V
    Id-连续漏极电流 200 A
    Rds On-漏源导通电阻 2.3 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.5 V
    Qg-栅极电荷 120 nC

    库存:53,771

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥30.1174
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥30.1174 ¥30.1174
    10+ ¥27.0766 ¥270.7660
    50+ ¥25.5870 ¥1,279.3500
    100+ ¥20.5102 ¥2,051.0200
    250+ ¥19.3291 ¥4,832.2750
    500+ ¥18.2185 ¥9,109.2500
    1,000+ ¥15.7418 ¥15,741.8000
    2,500+ ¥15.3628 ¥38,407.0000
    5,000+ ¥14.0054 ¥70,027.0000

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