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| 数据手册 | IXTY1R6N50D2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-252-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 1.6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.3 Ohms |
| Qg-栅极电荷 | 23.7 nC |
库存：52,171
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥16.1737
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥16.1737 | ￥16.1737 |
| 10+ | ￥12.1457 | ￥121.4570 |
| 50+ | ￥11.3348 | ￥566.7400 |
| 100+ | ￥8.9198 | ￥891.9800 |
| 500+ | ￥7.5624 | ￥3,781.2000 |
| 1,000+ | ￥6.3813 | ￥6,381.3000 |
| 2,500+ | ￥6.3196 | ￥15,799.0000 |
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