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| 数据手册 | HUF75652G3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | UltraFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 515 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,400
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥40.7119
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥40.7119 | ￥40.7119 |
| 10+ | ￥34.5773 | ￥345.7730 |
| 100+ | ￥27.6936 | ￥2,769.3600 |
| 250+ | ￥26.1511 | ￥6,537.7750 |
| 500+ | ￥24.5999 | ￥12,299.9500 |
| 1,000+ | ￥21.9380 | ￥21,938.0000 |
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