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    TPS1100D

    MOSFET MOSFET 10ns RT

    制造商:
    Texas Instruments
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TPS1100D 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Tube
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 SOIC-8
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 791 mW
    Vgs - 栅极-源极电压 - 15 V, 2 V
    晶体管极性 P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 15 V
    Id-连续漏极电流 1.6 A
    Rds On-漏源导通电阻 180 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 - 1.5 V
    Qg-栅极电荷 5.45 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:53,804

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥10.1008
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥10.1008 ¥10.1008
    10+ ¥8.5496 ¥85.4960
    100+ ¥6.6898 ¥668.9800
    250+ ¥6.5047 ¥1,626.1750
    500+ ¥5.6233 ¥2,811.6500
    1,000+ ¥4.7684 ¥4,768.4000
    2,500+ ¥4.7067 ¥11,766.7500
    5,000+ ¥4.3629 ¥21,814.5000
    10,000+ ¥4.1955 ¥41,955.0000

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