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数据手册 | VN2210N2 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-39-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 6 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 350 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:50,846
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥77.5808
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥77.5808 | ¥77.5808 |
25+ | ¥71.1290 | ¥1,778.2250 |
100+ | ¥64.4392 | ¥6,443.9200 |
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