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| 数据手册 | IXFH12N100P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 463 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.05 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 80 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,447
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥45.4802
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥45.4802 | ￥45.4802 |
| 10+ | ￥41.0821 | ￥410.8210 |
| 25+ | ￥33.7047 | ￥842.6175 |
| 50+ | ￥31.2280 | ￥1,561.4000 |
| 100+ | ￥30.6110 | ￥3,061.1000 |
| 250+ | ￥28.1343 | ￥7,033.5750 |
| 500+ | ￥23.8595 | ￥11,929.7500 |
| 1,000+ | ￥21.4356 | ￥21,435.6000 |
| 2,500+ | ￥20.6953 | ￥51,738.2500 |
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