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| 数据手册 | IXTQ88N30P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 600 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Id-连续漏极电流 | 88 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,718
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥53.9681
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥53.9681 | ￥53.9681 |
| 10+ | ￥48.7062 | ￥487.0620 |
| 25+ | ￥46.1589 | ￥1,153.9725 |
| 50+ | ￥45.2334 | ￥2,261.6700 |
| 100+ | ￥38.5436 | ￥3,854.3600 |
| 500+ | ￥34.0132 | ￥17,006.6000 |
| 1,000+ | ￥30.6110 | ￥30,611.0000 |
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