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| 数据手册 | IXTH48N65X2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 660 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 48 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
库存：57,173
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥56.5683
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥56.5683 | ￥56.5683 |
| 10+ | ￥50.5571 | ￥505.5710 |
| 25+ | ￥43.9907 | ￥1,099.7675 |
| 50+ | ￥43.1269 | ￥2,156.3450 |
| 100+ | ￥41.4522 | ￥4,145.2200 |
| 250+ | ￥35.4411 | ￥8,860.2750 |
| 500+ | ￥33.5813 | ￥16,790.6500 |
| 1,000+ | ￥28.3194 | ￥28,319.4000 |
| 2,500+ | ￥24.2914 | ￥60,728.5000 |
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