文档与媒体
| 数据手册 | FDP085N10A-F102 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 188 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 96 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 7.35 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 31 nC |
库存：56,286
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥12.5776
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥12.5776 | ￥12.5776 |
| 10+ | ￥10.6561 | ￥106.5610 |
| 100+ | ￥8.3028 | ￥830.2800 |
| 250+ | ￥8.0560 | ￥2,014.0000 |
| 500+ | ￥6.9983 | ￥3,499.1500 |
| 1,000+ | ￥5.9759 | ￥5,975.9000 |
| 2,500+ | ￥5.8084 | ￥14,521.0000 |
| 5,000+ | ￥5.4735 | ￥27,367.5000 |
| 10,000+ | ￥5.3413 | ￥53,413.0000 |
申请更低价? 请联系客服
